تکنولوژی‌های پس از برداشت
علی خلج؛ ابراهیم احمدی؛ سهیلا میرزائی؛ فهیمه قائمی زاده؛ روزبه عباس زاده
چکیده
کپک سیاه حاصل از قارچ آسپرژیلوس نایجر یکی از زیان‌بارترین بیماری‌های پس از برداشت انگور است. پلاسمای سرد در فشار اتمسفر، یک روش نوین به‌منظور میکروب‌زدایی از محصولات کشاورزی طی دوران پس از برداشت محصول می‌باشد. از این رو هدف از انجام این تحقیق بررسی تاثیر سطوح مختلف پلاسمای سرد در فشار اتمسفر (با مدت زمان صفر، 10، 20 و 40 ثانیه) بر نرخ ...
بیشتر
کپک سیاه حاصل از قارچ آسپرژیلوس نایجر یکی از زیان‌بارترین بیماری‌های پس از برداشت انگور است. پلاسمای سرد در فشار اتمسفر، یک روش نوین به‌منظور میکروب‌زدایی از محصولات کشاورزی طی دوران پس از برداشت محصول می‌باشد. از این رو هدف از انجام این تحقیق بررسی تاثیر سطوح مختلف پلاسمای سرد در فشار اتمسفر (با مدت زمان صفر، 10، 20 و 40 ثانیه) بر نرخ پوسیدگی کپک سیاه و بار میکروبی همراه با برخی از پارامترهای کیفی انگور (Vitic vinifera) تلقیح‌شده با قارچ آسپرژیلوس نایجر طی انبارداری در دمای 4 درجه سانتی‌گراد بود. نتایج نشان داد پلاسما به‌طور موثری باعث کاهش بار میکروبی و درصد پوسیدگی کپک سیاه طی دوران انبارداری می‌شود. بالاترین میزان میکروب‌زدایی در پلاسما 40 ثانیه صورت گرفت. برای پارامترهای کیفی پس از برداشت، پلاسمای کمتر از 40 ثانیه (10 و 20 ثانیه) حداقل تاثیر را در شاخص‌های شیمیایی (pH،TSS و TA)، دمای محصول، شاخص‌های رنگ‌سنجی، تغییر رنگ، افت وزن، شاخص‌های مکانیکی و در نهایت سفتی بافت در انتهای دوره انبارداری داشت. بالاترین تغییرات در خواص شیمیایی، مکانیکی و فیزیکی انگور در انتهای انبارداری و در پلاسما 40 ثانیه به دلیل آسیب به بافت به‌ویژه در محل دم میوه صورت گرفت. در کل به نظر می‌رسد تیمارهای کوتاه‌مدت پلاسما بتواند راهکار مناسبی هم‌زمان برای کاهش پوسیدگی‌های قارچی همراه با حفظ پارامترهای کیفی انگور و طی دوره نگهداری باشد.
طراحی و ساخت
سعید رضایی؛ مجید دولتی؛ روزبه عباس زاده
چکیده
استفاده از روش‌های غیرشیمیایی یکی از راهکارهای بهبود جوانه‌زنی بذر به‌شمار می‌رود. به‌منظور بررسی اثر اعمال میدان مغناطیسی بر شاخص‌های جوانه‌زنی بذر و رشد گیاهچه پیاز، یک سامانه‌ی میدان مغناطیسی چهار قطبی طراحی و ساخته شد و با سامانه دوقطبی مورد مقایسه قرار گرفت. در سامانه چهارقطبی، هر یک از چهار کلاف سیم پیچ شامل سه‌لایه سیم‌پیچ ...
بیشتر
استفاده از روش‌های غیرشیمیایی یکی از راهکارهای بهبود جوانه‌زنی بذر به‌شمار می‌رود. به‌منظور بررسی اثر اعمال میدان مغناطیسی بر شاخص‌های جوانه‌زنی بذر و رشد گیاهچه پیاز، یک سامانه‌ی میدان مغناطیسی چهار قطبی طراحی و ساخته شد و با سامانه دوقطبی مورد مقایسه قرار گرفت. در سامانه چهارقطبی، هر یک از چهار کلاف سیم پیچ شامل سه‌لایه سیم‌پیچ و یک هسته فلزی است که هسته قابلیت حرکت در درون سیم‌پیچ را دارد. این قابلیت باعث تغییر شدت میدان مغناطیسی، علاوه بر تغییر از طریق تغییر جریان ورودی، خواهد شد. دو آزمایش مستقل با دو سامانه‌ی میدان مغناطیسی به‌صورت فاکتوریل در قالب طرح کاملاً تصادفی با سه تکرار انجام شد. فاکتورها شامل نوع سامانه (دو قطبی و چهار قطبی)، شدت میدان مغناطیسی (75، 150، 300 و 600 میکروتسلا) و مدت زمان اعمال میدان (15، 30، 60 و 120 دقیقه) بود. شاخص‌های مورد بررسی عبارت بودند از: درصد جوانه‌زنی، سرعت جوانه‌زنی، متوسط زمان جوانه‌زنی، شاخص بنیه، طول ساقه‌چه، طول ریشه‌چه، وزن تر ساقه‌چه، وزن‌تر ریشه‌چه، وزن تر گیاهچه، وزن خشک ریشه‌چه و وزن خشک ساقه‌چه. به‌طور کلی نتایج نشان داد که میدان مغناطیسی بر روی شاخص‌های جوانه‌زنی و رشد گیاهچه پیاز تاثیر معنی‌دار داشته و سامانه چهارقطبی نبست به سامانه دوقطبی در بیشتر شاخص‌های مورد مطالعه عملکرد بهتری داشته است. در مورد غالب صفات (به‌جز وزن)، افزایش شدت میدان، منجر به کاهش صفات شد. سیستم چهارقطبی که میدان مغناطیسی 600 میکروتسلایی را به مدت 15 دقیقه به بذر اعمال کرد، باعث افزایش 63 درصدی وزن گیاهچه گردید. غالب صفات جوانه‌زنی تحت تأثیر مدت زمان اعمال میدان به بذر قرار نگرفتند. به هرحال بررسی‌های بیشتر در خصوص مدت زمان اعمال میدان نسبت به زمان اعمال شده در این مطالعه ضروری است.
